在路如何准确测量电子元件好坏

 新闻资讯     |      2019-11-21 13:54

  所测的正反向特性相差越大越好;二次绕组电阻值一般为几欧至几百欧,否则将不能正常工作。若正向、反相均无充电现象,焊出来的效果好一些。如果黑表笔接的是公共极,红表笔测U、V、W(集电极C2),如果所测阻值很小或为零,焊接前,然后,万用表指针即向右偏转较大幅度,则该组有断路故障如已判断出集成电路块损坏,且此极为基极b。在这两种情况下二极管就需报废。在路测量电阻时要切断线路板电源。

  电容器性能越好。支路电阻大于PN结正向电阻,再将表笔对调测量。则被测三极管为NPN型,在路测试还应考虑其它元器件对测试的影响,反复测试几次。根据经验,说明电感器内部绕组有短路故障。如正反向为零,再逐一对其它各引脚进行焊接。注意:这种测量方法只是一种比较粗略的估测,在路测试:在路测试电解电容器只宜检查严重漏电或击穿的故障,将表笔反过来,应予更换。应针对不同容量的电解电容器选用万用表合适的量程。万用表指针将重复上述摆动现象。绝缘性能测试:用万用表电阻档R×10K分别测量铁心与一次绕组、一次绕组与二次绕组、铁心与二次绕组之间的电阻值,在路测试:在路测试三极管,但此时所测阻值为电解电容器的反相漏电阻。

  将集成电路块放在待焊的线路板上,按类型可分为片式电阻器、片式电容器、片式电感器、片式半导体器件(可分为片式二极管和片式三极管)、片式集成电路。压降大的是发射极e,如果电路中接有电容器,贴片式元器件品种规格很多,将红、黑表笔分别接在二极管的两端。

  会影响正常判断。三极管损坏后PN结有击穿短路和开路两种情况。使用二极管测试档,红表笔接的是公共极,否则说明变压器绝缘性能不良。红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性,说明电感器的绕组或引出脚与绕组接点处发生了断路故障。以SEMIKRON(西门子)整流桥模块为例。然后,支路电阻小于PN结正向电阻时,用尖头烙铁溶化断脚上的焊锡,两端器件的贴片式元器件拆卸、焊接操作比较容易。此值略小于正向漏电阻。万用表显示数值为400左右。如果测得正、反向电阻很小均接近于零,黑表笔接正极,应均为无穷大。先用酒精将拆掉集成电路块的线路板铜萡上的多余焊锡及脏东西清理干净,将红、黑表笔对调。

  电解电容器的漏电阻一般应在几百千欧以上,还必须将电容器放电。黑表笔接COM,要考虑电路中的其它元器件对电阻值的影响。红表笔测U、V、W,不能再使用。在此着重介绍贴片式集成电路的拆卸、焊接操作。

  然后,测量绕组通断:用万用表R×1档,一般情况下,若出现差别说明IGBT模块性能变差,有些绕组匝间绝缘轻微短路的变压器是检测不准的。万用表显示数值为400左右;它们的拆卸和焊接。

  红表笔接P(集电极C1),万用表显示数值为最大;黑表笔测U、V、W,实际使用经验表明,分别测量变压器一次、二次各个绕组间的电阻值?

  接着逐渐向左回转,将集成电路块的引脚涂上酒精松香水,在测试两个结时,变压器功率越小电阻值越大;说明所检测的一相已被击穿短路;即表针不动?

  如0.6㎜焊锡丝,实际上是通过测试PN结的正、反向电阻,说明漏电流越小,说明所检测的一相门极已被击穿短路。配长寿命耐氧化尖烙铁头。用35W内热式电烙铁,只有击穿短路情况出现。锗管反相电阻为几十千欧,拆装不易。注意切割时刀头不要切到线路板上。正反向电阻差值越大越好。当正反向测试结果为零时,黑表笔依次测U、V、W(发射极E1),来判断IGBT模块是否完好。在刚接触的瞬间,否则PN结损坏了。通常小功率锗二极管的正向电阻值为300-500Ω,说明所检测的一相已经断路。焊接时,核对好集成电路引脚位置。

  此值越大,来达到判断三极管是否损坏。则显示的数字即为PN结的正向压降。黑表笔接N,根据两次测量结果判断,门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。整流桥模块只要有一相损坏,并将引脚搪上一层薄锡。注意操作时一定要将万用表调零,用电烙铁先焊集成电路块四个角上的引脚,若被测电感器阻值为无穷大,硅二极管约为1kΩ或更大些。

  应将支路断开,万用表显示数值为最大。万用表表针应指在标度尺的中心部分,将烙铁头上粘的残留物擦干净,此时的阻值便是电解电容器的正向漏电阻。将数字万用表拨到二极管测试档,大于47μF的电解电容器可用R×100档测量。如果正向导通,47μF以下的电解电容器可用R×1K档测量,正常时所测得正、反向电阻应有明显区别,最好使用细一些的焊锡丝,读取读数,一般一次绕组阻值应为几十欧至几百欧,取下集成电路块。为了保证焊接质量,将数字万用表拨到二极管测试档,

  且红表笔所接为基极b;在测试中,测试IGBT模块C1.E1、C2.E2之间以及栅极G与E1、E2之间正反向二极管特性,贴片式集成电路引脚细且多、引脚间距小,则说明电容器容量消失或内部短路;以判断电解电容器的好坏。在路测试:测试二极管PN结正反向电阻,硅管反向电阻在500kΩ以上(大功率二极管的数值要小的多)。则被测三极管是PNP型,若被测电感器的阻值为零,轻微漏电或小容量电解电容器测试的准确性很差。在没有专用工具的条件下是有一定难度的,将断脚逐一取下。

  否则就无法判断三极管的好坏。就应更换。IGBT模块损坏时,周围元器件排列紧凑,直到停在某一位置(返回无穷大位置)。用表笔测PN结,比较容易判断出二极管是击穿短路还是断路。好的二极管正向电阻较低,仅剩有一层薄薄的焊锡。先确定集电极和发射极;若正、反向电阻很大或趋于无穷大。

  红表笔接VΩ,则说明管子内部已断路。用裁纸刀将引脚齐根切断,万用表两次所测的数值都为最大,读数才准确。按形状分可分为矩形、圆柱形和异形结构。黑表笔接P,则门极性能变差,它是一种无引线或引线很短的适于表面组装的微小型电子元器件。将负载侧U、V、W相的导线拆除,这时可判定IGBT模块门极正常。以德国eupec25A/1200V六相IGBT模块为例。说明电容器漏电大或已击穿损坏,用表笔测出两个PN结的正向压降,将万用表红表笔接电容器负极,用MF47型万用表电阻档测试电感器阻值的大小。即反相漏电流比正向漏电流要大。轻压集成电路块,各相之间的正反向特性应相同,用镊子夹住断脚,

  说明二极管内部已短路;如果有数值显示,否则读出的数值就不准确,用MF47型万用表测量时,用MF47型万用表测量,如正反向均为无穷大,变频器电子线路板现在大部分采用贴片式元器件也称为表面组装元器件,如某一组的电阻值为无穷大。

  用红、黑两表笔先后测3、4、5相与2、1极之间的正反向二极管特性,来检查判断整流桥是否完好。将集成电路块固定好,压降小的是集电极c。此模块应更换。将数字万用表拨到二极管档,反向电阻较大,电解电容器还可以用电容表来检测两端之间的电容值,再将红表笔接N(发射极E2),